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• 200 1_ |a 硅基应变半导体物理 |A gui ji ying bian ban dao ti wu li |f 宋建军, 杨雯, 赵新燕著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2019

• 215 __ |a 132页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目

• 320 __ |a 有书目 (第130-132页)

• 330 __ |a 本书共6章, 主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容, 重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移丰模型, 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。

• 606 0_ |a 硅基材料 |A gui ji cai liao |x 半导体物理学 |x 研究

• 690 __ |a O47 |v 5

• 701 _0 |a 宋建军 |A song jian jun |4 著

• 701 _0 |a 杨雯 |A yang wen |4 著

• 701 _0 |a 赵新燕 |A zhao xin yan |4 著

• 801 _0 |a CN |b TJU |c 20190819

• 905 __ |a JHUD |d O47/35

• 920 __ |a 242450 |z 1

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