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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成电路器件抗辐射加固设计技术 |A ji cheng dian lu qi jian kang fu she jia gu she ji ji shu |f 闫爱斌 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 214页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 题名页题其余责任者：倪天明、黄正峰、崔杰

• 320 __ |a 有书目 (第207-214页)

• 330 __ |a 本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。

• 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 电子器件 |x 抗辐射性 |x 机械加固 |x 设计

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 闫爱斌 |A yan ai bin |4 著

• 701 _0 |a 倪天明 |A ni tian ming |4 著

• 701 _0 |a 黄正峰 |A huang zheng feng |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20230417

• 905 __ |a JHUD |d TN4/196

• 920 __ |a 242450 |z 1

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