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• 200 1_ |a 电可改写非挥发存储器 |A dian ke gai xie fei hui fa cun chu qi |f 于宗光，郝跃著

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2002

• 215 __ |a 20,227页 |d 20cm

• 314 __ |a 于宗光(1964～)，山东潍坊人，信息产业部电子第58所副总工程师兼设计开发部总工程师。著作有：《电可改写非挥发存储器》等。

• 314 __ |a 郝跃(1958～)，重庆人，西安电子科技大学副校长、教授。著作有：《电可改写非挥发存储器》等。

• 330 __ |a 本书介绍了EEPROM单元结构的变革及发展方向，EEPROM的电路设计技术，EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究，电可改写集成电路的应用等12章内容。

• 510 1_ |a Electrically Re-Programmable Nonvolatile Memory |z eng

• 606 0_ |2 CT |3 S001882 |a 半导体存储器 |A ban dao ti cun chu qi

• 690 __ |a TP333.5 |v 4

• 701 _0 |a 于宗光 |A yu zong guang |4 著

• 701 _0 |a 郝跃 |A hao yue |4 著

• 801 _0 |a CN |b JHXHSD |c 20040812

• 997 __ |a a

• 999 __ |M zzw |m 20040812105132