机读格式显示(MARC)

• 000 01510nam 2200325 450

• 001 0000962202

• 005 20241105175100.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6312-8 |b 精装 |d CNY128.00

• 099 __ |a CAL 012022125282

• 100 __ |a 20221229d2022 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体太赫兹器件 |A Dan Hua Wu Ban Dao Ti Tai He Zi Qi Jian |d = Nitride semiconductor terahertz device |f 冯志红编著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 307页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Qian Yan Cong Shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。

• 333 __ |a 半导体器件研究人员

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Nitride semiconductor terahertz device |z eng

• 606 0_ |a 电磁辐射 |A Dian Ci Fu She |x 应用 |x 氮化镓 |x 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 冯志红 |A Feng Zhihong |4 编著

• 801 _0 |a CN |b JHUD |c 20241105

• 905 __ |a JHUD |d TN303/84

• 920 __ |a 242450 |z 1