机读格式显示(MARC)
- 000 01258nam0 2200253 450
- 010 __ |a 978-7-111-52318-5 |d CNY79.00
- 100 __ |a 20160324d2016 em y0chiy50 ea
- 200 __ |a 过电应力 (EOS) 器件、电路与系统 |g 雷鑑铭等译 |f (美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2016/3/1
- 215 __ |a XX, 286页 |d 24cm
- 314 __ |a 史蒂文 H. 沃尔德曼,作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史,主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性(如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS)的研究工作。
- 330 __ |a 本书系统地介绍了过电应力(EOS)器件、电路与系统设计,并给出了大量实例,将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制,EOS电路与系统设计及EDA,半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师,以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来,本书是一本重要的参考书,同时也是面向现代技术问题有益的启示。
- 333 __ |a 需要学习和参考EOS相关设计的工程师
- 801 __ |a CN |b 百万庄 |c 20160324