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• 200 1_ |a 嵌入式存储器架构、电路与应用 |A qian ru shi cun chu qi jia gou、 dian lu yu ying yong |f 曾晓洋, 薛晓勇, 温亮著

• 210 __ |a 北京 |c 龙门书局 |c 科学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 171页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 集成电路设计丛书 |A ji cheng dian lu she ji cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目 “十三五”国家重点出版物出版规划项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器, 前者包括SRAM、eDRAM和eFlash, 后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。在内容安排上, 书中侧重介绍各类嵌入式存储器的单元结构、阵列、电路技术以及应用。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路设计丛书

• 606 0_ |a 高速缓冲存贮器 |A gao su huan chong cun zhu qi |x 架构

• 606 0_ |a 高速缓冲存贮器 |A gao su huan chong cun zhu qi |x 电路设计

• 690 __ |a TP333.1 |v 5

• 701 _0 |a 曾晓洋 |A zeng xiao yang |4 著

• 701 _0 |a 薛晓勇 |A xue xiao yong |4 著

• 701 _0 |a 温亮 |A wen liang |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20200508

• 905 __ |a JHUD |d TP333.1/5

• 920 __ |a 242450 |z 1

• 998 __ |a NMU