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• 005 20090916151300.0

• 010 __ |a 978-7-308-06624-2 |d CNY25.00

• 099 __ |a CAL 012009076408

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• 200 1_ |a 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用 |A Yang Hua Xin Ban Dao Ti Cai Liao Can Za Ji Shu Yu Ying Yong |d = ZnO: doping and application |f 叶志镇 ... [等] 著 |z eng

• 210 __ |a 杭州 |c 浙江大学出版社 |d 2009

• 215 __ |a 190页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 题名页题: 叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平等著

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷( 如空位氧Vo和间隙锌Zni), 对受主产生高度自补偿作用, 天然为n型半导体, 难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术, 也一直是ZnO研究中的主要课题, 目前已取得重大进展, 本书对此进行了详细阐述。

• 333 __ |a 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考

• 510 1_ |a ZnO: doping and application |z eng

• 606 0_ |a 氧化锌 |A yang hua xin |x 半导体材料 |x 掺杂 |x 技术

• 690 __ |a TN304.2 |v 4

• 701 _0 |a 叶志镇 |A Ye Zhi Zhen |4 著

• 701 _0 |a 吕建国 |A Lv Jian Guo |4 著

• 701 _0 |a 张银珠 |A Zhang Yin Zhu |4 著

• 801 _0 |a CN |b HPUL |c 20090514

• 905 __ |a JHUD |d TN304.2/2

• 920 __ |a 242450 |z 1