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• 200 1_ |a 功率晶体管原理 |A gong lv jing ti guan yuan li |f 万积庆, 唐元洪编著

• 210 __ |a 长沙 |c 湖南大学出版社 |d 2009

• 215 __ |a 273页 |c 图 |d 26cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二级管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。

• 606 0_ |a 功率晶体管 |A gong lv jing ti guan |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN323 |v 4

• 701 _0 |a 万积庆 |A wan ji qing |4 编著

• 701 _0 |a 唐元洪 |A tang yuan hong |4 编著

• 801 _0 |a CN |b CEPC1 |c 20090410

• 905 __ |a JHUD |d TN323/4

• 920 __ |a 242450 |z 1