机读格式显示(MARC)

• 000 02103cam 2200373 450

• 001 0000810160

• 005 20160929111600.0

• 010 __ |a 978-7-111-49307-5 |d CNY99.00

• 099 __ |a CAL 012015063666

• 100 __ |a 20150526d2015 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 先进的高压大功率器件 |A Xian Jin De Gao Ya Da Gong Lu^ Qi Jian |e 原理、特性和应用 |d = Advanced high voltage power device concepts |f (美) B. Jayant Baliga著 |g 于坤山 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a 442页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛 |A Guo Ji Dian Qi Gong Cheng Xian Jin Ji Shu Yi Cong

• 306 __ |a 由Springer授权出版

• 314 __ |a 责任者Baliga规范汉译姓: 巴利加

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。

• 410 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 500 10 |a Advanced high voltage power device concepts |A Advanced High Voltage Power Device Concepts |m Chinese

• 517 1_ |a 原理、特性和应用 |A yuan li 、 te xing he ying yong

• 606 0_ |a 大功率 |A Da Gong Lu^ |x 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 巴利加 |A Ba Li Jia |g (Baliga, B. Jayant), |f 1948- |4 著

• 702 _0 |a 于坤山 |A Yu Kun Shan |4 译

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20150526

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20150828

• 905 __ |a JHUD |d TN303/76

• 920 __ |a 242450 |z 1

• 998 __ |a NMU