机读格式显示(MARC)

• 000 01233nam0 2200277 450

• 001 0000619075

• 005 20080910143700.0

• 010 __ |a 978-7-03-020041-9 |d CNY38.00

• 099 __ |a CAL 012007168383

• 100 __ |a 20071228d2008 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a IGBT场效应半导体功率器件导论 |A Igbt Chang Xiao Ying Ban Dao Ti Gong Lv Qi Jian Dao Lun |f 袁寿财著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2008

• 215 __ |a 209页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 赣南师范学院学术著作出版基金资助项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等，重点讨论了IGBT，同时对其它器件如IGCT、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后都附有相关参考文献，书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。

• 333 __ |a 高等院校本科学生、硕士博士研究生，功率半导体器件研究、开关电源等电力电子产品开发工程技术人员等

• 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A Jue Yuan Zha Chang Xiao Ying Jing Ti Guan |x 基本知识

• 690 __ |a TN386.2 |v 4

• 701 _0 |a 袁寿财, |A Yuan Shou Cai |f 1963- |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20071228

• 905 __ |a JHUL |d TN386.2/2