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• 000 01501nam 2200301 450

• 001 0000830014

• 005 20180301085100.0

• 010 __ |a 978-7-111-52930-9 |d CNY55.00

• 099 __ |a CAL 012016043157

• 100 __ |a 20160406d2016 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 微电子器件 |A Wei Dian Zi Qi Jian |f 曾云, 杨红官编著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2016

• 215 __ |a 283页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 高等院校电子信息与电气学科系列规划教材 |A Gao Deng Yuan Xiao Dian Zi Xin Xi Yu Dian Qi Xue Ke Xi Lie Gui Hua Jiao Cai

• 320 __ |a 有书目 (第281-283页)

• 330 __ |a 本书共分为11章，其中，第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律；第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理：第4-6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性；第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性；第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性，以及纳米级MOS器件，包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等；第10章论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性；第11章介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。

• 410 _0 |1 2001 |a 高等院校电子信息与电气学科系列规划教材

• 606 0_ |a 微电子技术 |A Wei Dian Zi Ji Shu |x 电子器件 |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 曾云 |A Zeng Yun |4 编著

• 701 _0 |a 杨红官 |A Yang Hong Guan |4 编著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20160415

• 905 __ |a JHUD |d TN4/186

• 920 __ |a 242450 |z 1