机读格式显示(MARC)

• 000 01340nam 2200337 450

• 001 0000426595

• 005 20041028145100.0

• 010 __ |a 7-03-012817-6 |d CNY26.00

• 099 __ |a CAL 012004029319

• 100 __ |a 20040330d2004 em y0chiy0121 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |f 杨树人, 王宗昌, 王兢编著

• 205 __ |a 第2版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2004

• 215 __ |a 264页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 21世纪高等院校教材 |A 21 shi ji gao deng yuan xiao jiao cai

• 320 __ |a 有书目 (第264页)

• 330 __ |a 本书主要介绍了半导体材料硅、砷化镓制备原理, 工艺和特性的控制。全书分为11章。第1章介绍了锗和硅的化学制备; 第2章介绍了区熔提纯; 第3章为晶体生长; 第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷; 第5章为硅外延生长; 第6、7章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及其外延生长。第8章介绍了Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体。第9章介绍了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体。第10章介绍了氧化物半导体材料。第11章介绍了其他半导体材料。

• 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 高等院校 |j 教材

• 690 __ |a TN304-43 |v 4

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _0 |a 杨树人 |A Yang Shu Ren |4 编著

• 701 _0 |a 王宗昌 |A Wang Zong Chang |4 编著

• 701 _0 |a 王兢 |A Wang Jing |4 编著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20040330

• 801 _2 |a CN |b DUTL |c 20040519

• 801 _2 |a CN |b JHUL |c 20041028

• 905 __ |a JHUL |d TN304/16=2