MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：15
- 题名/责任者:
- IGBT场效应半导体功率器件导论/袁寿财著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2008
- ISBN及定价:
- 978-7-03-020041-9/CNY38.00
- 载体形态项:
- 209页:图;24cm
- 个人责任者:
- 袁寿财, 1963- 著
- 学科主题:
- 绝缘栅场效应晶体管-基本知识
- 中图法分类号:
- TN386.2
- 一般附注:
- 赣南师范学院学术著作出版基金资助项目
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等，重点讨论了IGBT，同时对其它器件如IGCT、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后都附有相关参考文献，书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。
- 使用对象附注:
- 高等院校本科学生、硕士博士研究生，功率半导体器件研究、开关电源等电力电子产品开发工程技术人员等
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