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MARC状态:审校  文献类型:中文图书 浏览次数:40 

题名/责任者:
先进的高压大功率器件:原理、特性和应用/(美) B. Jayant Baliga著 于坤山 ... [等] 译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2015
ISBN及定价:
978-7-111-49307-5/CNY99.00
载体形态项:
442页:图;24cm
统一题名:
Advanced high voltage power device concepts
其它题名:
原理、特性和应用
丛编项:
国际电气工程先进技术译丛
个人责任者:
巴利加 (Baliga, B. Jayant), 1948- 著
个人次要责任者:
于坤山
学科主题:
大功率-功率半导体器件
中图法分类号:
TN303
出版发行附注:
由Springer授权出版
责任者附注:
责任者Baliga规范汉译姓: 巴利加
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断,并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 定位信息 书刊状态
TN303/76 A1669699  - 自科借阅2(T)(113室)     导航 可借
TN303/76 A1669700  - 自科借阅2(T)(113室)     导航 可借
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