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题名/责任者:

宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征/徐士杰等编著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2022.8

ISBN及定价:

978-7-5606-6429-3 精装/CNY128.00

载体形态项:

375页, [2] 页图版:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

徐士杰 编著

学科主题:

禁带-半导体-结构

学科主题:

禁带-半导体光电器件

中图法分类号:

TN303

中图法分类号:

TN36

一般附注:

国家出版基金项目

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线, 按照“面向宽禁带半导体前沿课题, 注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征, 以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容, 从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发, 组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写, 力争用通俗易懂的语言, 由浅入深, 系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。

使用对象附注:

本书可作为高等学校半导体光电子类相关专业高年级本科生和研究生的教材或教学参考书, 也可作为相关科研工作者的学习参考书

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