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MARC状态:审校  文献类型:中文图书 浏览次数:26 

题名/责任者:
微电子器件/曾云, 杨红官编著
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2016
ISBN及定价:
978-7-111-52930-9/CNY55.00
载体形态项:
283页:图;26cm
丛编项:
高等院校电子信息与电气学科系列规划教材
个人责任者:
曾云 编著
个人责任者:
杨红官 编著
学科主题:
微电子技术-电子器件-高等学校-教材
中图法分类号:
TN4
书目附注:
有书目 (第281-283页)
提要文摘附注:
本书共分为11章,其中,第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律;第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理:第4-6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性;第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性;第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性,以及纳米级MOS器件,包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等;第10章论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性;第11章介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。
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