MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：12
- 题名/责任者:
- 集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2023
- ISBN及定价:
- 978-7-03-074714-3/CNY129.00
- 载体形态项:
- 214页:图;24cm
- 个人责任者:
- 闫爱斌 著
- 个人责任者:
- 倪天明 著
- 个人责任者:
- 黄正峰 著
- 学科主题:
- 集成电路-电子器件-抗辐射性-机械加固-设计
- 中图法分类号:
- TN4
- 题名责任附注:
- 题名页题其余责任者：倪天明、黄正峰、崔杰
- 书目附注:
- 有书目 (第207-214页)
- 提要文摘附注:
- 本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。
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