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- 题名/责任者:
- 氮化物半导体太赫兹器件/冯志红编著 参编王元刚 ... [等]
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022.9
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6312-8 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 307页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 冯志红 编著
- 个人次要责任者:
- 王元刚 参编
- 个人次要责任者:
- 孙建东 参编
- 学科主题:
- 电磁辐射-应用-氮化镓-半导体器件-研究
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 题名责任附注:
- 题名页题: 参编王元刚, 孙建东, 吕元杰, 吴爱华, 宋旭波等
- 提要文摘附注:
- 随着太赫兹技术的发展, 传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升, 导致现有的太赫兹源输出功率低, 不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点, 在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展, 包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等, 涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。
- 使用对象附注:
- 本书可供从事氮化物半导体太赫兹器件的研究人员及工程技术人员参考
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