MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：48
- 题名/责任者:
- 氧化镓半导体器件/龙世兵, 叶建东, 吕元杰著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022.9
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6430-9 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 396页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 龙世兵 著
- 个人责任者:
- 叶建东 著
- 个人责任者:
- 吕元杰 著
- 学科主题:
- 氧化镓-半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书共分为7章, 第1-4章 (氧化镓材料部分) 介绍了氧化镓半导体材料的基本结构, 单晶生长和薄膜外延方法, 电学特性, 氧化镓材料与金属、其他半导体的接触, 氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容; 第5-7章 (氧化镓器件部分) 介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程, 氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向, 氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。
- 使用对象附注:
- 本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高等院校的教师、研究生、高年级本科生的参考书和工具书, 也可作为其他对氧化镓宽禁带半导体器件感兴趣的研究人员的参考资料
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