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MARC状态:审校  文献类型:中文图书 浏览次数:49 

题名/责任者:
温度对微电子和系统可靠性的影响/(美) Pradeep Lall, Michael G. Pecht, Edward B. Hakim著 贾颖, 张德骏, 刘汝军译
出版发行项:
北京:国防工业出版社,2008
ISBN及定价:
978-7-118-05484-2/CNY32.00
载体形态项:
xv, 218页:图;26cm
统一题名:
Influence of temperature on microelectronics and system reliability
个人责任者:
拉尔 (Lall, Pradeep)
个人责任者:
佩希特 (Pecht, Michael G.)
个人责任者:
哈基姆 (Hakim, Edward B.)
个人次要责任者:
贾颖
个人次要责任者:
张德骏
个人次要责任者:
刘汝军
学科主题:
温度-影响-微电子技术-系统可靠性
中图法分类号:
TN4
一般附注:
本书由总装备部装备科技译著出版基金资助出版
出版发行附注:
本书简体中文版由CRC出版社授予国防工业出版社独家出版发行
责任者附注:
责任者规范汉译姓: 拉尔(Lall); 佩希特(Pecht); 哈基姆(Hakim)
书目附注:
有书目 (第180-217页)
提要文摘附注:
本书是一部半导体器件可靠性物理专着, 重点讨论了微电子器件失效机理与温度的关系、微电子封装失效机理与温度的关系、双极型晶体管和MOS型场效应晶体管电参数与温度的关系、集成电路老化失效物理, 提出了微电子器件温度冗余设计和应用准则、电子器件封装的温度冗余设计和使用指南, 归纳总结了稳态温度、温度循环、温度梯度及时间相关的温度变化对器件可靠性的影响。
提要文摘附注:
本书是一部半导体器件可靠性物理专著,重点讨论了微电子器件失效机理与温度的关系、微电子封装失效机理与温度的关系、双极型晶体管和MOS型场效应晶体管电参数与温度的关系,以及集成电路老化失效物理,提出了微电子器件温度冗余设计和应用准则、电子器件封装的温度冗余设计和使用指南,归纳总结了稳态温度、温度循环、温度梯度及时间相关的温度变化对器件可靠性的影响。
使用对象附注:
本书可以作为微电子器件和电子产品可靠性专业本科生和研究生的参考教材
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 定位信息 书刊状态 还书位置
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