MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：13
- 题名/责任者:
- 计算光刻与版图优化/韦亚一[等]著
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2021.01
- ISBN及定价:
- 978-7-121-40226-5/CNY79.00
- 载体形态项:
- 10,238页;26cm
- 丛编项:
- 集成电路技术丛书
- 个人责任者:
- 韦亚一
- 中图法分类号:
- TN405.98
- 提要文摘附注:
- 本书共7章，首先对集成电路设计与制造的流程做简要介绍，接着介绍集成电路物理设计(版图设计)的全流程，然后介绍光刻模型、分辨率增强技术、刻蚀效应修正、可制造性设计，最后介绍设计与工艺协同优化。本书内容紧扣先进技术节点集成电路制造的实际情况，涵盖计算光刻与版图优化的发展状态和未来趋势，系统介绍了计算光刻与刻蚀的理论，论述了版图设计与制造工艺的关系，以及版图设计对制造良率的影响，讲述和讨论了版图设计与制造工艺联合优化的概念和方法论，并结合具体实施案例介绍了业界的具体做法。
- 使用对象附注:
- 本书适用于集成电路设计与制造领域的从业者及高等院校微电子相关专业的本科生、研究生
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