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题名/责任者:

低压低功耗CMOS/BiCMOS超大规模集成电路:low voltage, low power/(新加坡) Kiat-Seng Yeo, Samir S. Rofail, Wang-Ling Goh著 周元兴, 张志龙等译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2003

ISBN及定价:

7-5053-8712-X/CNY49.00

载体形态项:

460页:图;26cm

并列正题名:

CMOS/BiCMOS ULSI: low voltage, low power

丛编项:

国外电子与通信教材系列

个人责任者:

杨, K. S. (Yeo, Kiat-Seng) 著

个人责任者:

罗法尔, S. S. (Rofail, Samir S.) 著

个人责任者:

吴, W. L. (Goh, Wang-Ling) 著

个人次要责任者:

周元兴 译

个人次要责任者:

张志龙 译

学科主题:

MOS集成电路-超大规模集成电路

中图法分类号:

TN432

版本附注:

据2002年英文版译。

出版发行附注:

由电子工业出版社和Pearson Education培生教育出版亚洲有限公司合作出版。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书重点在不同的ＢｉＣＭＯＳ处理工艺上，并探讨实现高性能设备的设计考虑因素。此外，本书中还包含了对超低压用途电路设计的考虑。本书从各个角度阐述了低压、低功率电路设计，包括工艺联合、设备模拟和表征等，给出了ＣＭＯＳ／ＢｉＣＭＯＳ　ＵＬＳＩ设计的最新进展，包括用以实现低压、低功率ＣＭＯＳ／ＢｉＣＭＯＳ结构所需要的制造工艺的完整分析等。

使用对象附注:

适用人群:相关专业师生,电路设计人员,工程人员,科学技术人员等

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