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- 题名/责任者:
- 过电应力 (EOS) 器件、电路与系统/(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著 雷鑑铭等译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2016/3/1
- ISBN及定价:
- 978-7-111-52318-5/CNY79.00
- 载体形态项:
- XX, 286页;24cm
- 丛编项:
- 国际电气工程先进技术译丛
- 个人责任者:
- 沃尔德曼
- 个人次要责任者:
- 雷鑑铭
- 学科主题:
- 电子元件
- 中图法分类号:
- TN60
- 责任者附注:
- 史蒂文 H. 沃尔德曼，作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性（如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS）的研究工作。
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书系统地介绍了过电应力（EOS）器件、电路与系统设计，并给出了大量实例，将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制，EOS电路与系统设计及EDA，半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来，本书是一本重要的参考书，同时也是面向现代技术问题有益的启示。
- 使用对象附注:
- 需要学习和参考EOS相关设计的工程师
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