MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：36
- 题名/责任者:
- 硅基应变半导体物理/宋建军, 杨雯, 赵新燕著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2019
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-5294-8/CNY23.00
- 载体形态项:
- 132页:图;26cm
- 个人责任者:
- 宋建军 著
- 个人责任者:
- 杨雯 著
- 个人责任者:
- 赵新燕 著
- 学科主题:
- 硅基材料-半导体物理学-研究
- 中图法分类号:
- O47
- 一般附注:
- 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目
- 书目附注:
- 有书目 (第130-132页)
- 提要文摘附注:
- 本书共6章, 主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容, 重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移丰模型, 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。
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