MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：13
- 题名/责任者:
- 抗辐射集成电路概论/韩郑生编著
- 出版发行项:
- 北京:清华大学出版社,2011
- ISBN及定价:
- 978-7-302-24547-6/CNY30.00
- 载体形态项:
- 17, 202页:图;26cm
- 丛编项:
- 微电子与集成电路技术丛书
- 个人责任者:
- 韩郑生 编著
- 学科主题:
- 抗辐射性-集成电路-概论
- 中图法分类号:
- TN4
- 书目附注:
- 有书目 (第200-202页)
- 提要文摘附注:
- 本书论述抗辐射集成电路方面的知识。全书共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射MOS集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、FPGA加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。
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