MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：60
- 题名/责任者:
- 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用/叶志镇 ... [等] 著
- 出版发行项:
- 杭州:浙江大学出版社,2009
- ISBN及定价:
- 978-7-308-06624-2/CNY25.00
- 载体形态项:
- 190页:图;24cm
- 并列正题名:
- ZnO: doping and application
- 个人责任者:
- 叶志镇 著
- 个人责任者:
- 吕建国 著
- 个人责任者:
- 张银珠 著
- 学科主题:
- 氧化锌-半导体材料-掺杂-技术
- 中图法分类号:
- TN304.2
- 题名责任附注:
- 题名页题: 叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平等著
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷( 如空位氧Vo和间隙锌Zni), 对受主产生高度自补偿作用, 天然为n型半导体, 难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术, 也一直是ZnO研究中的主要课题, 目前已取得重大进展, 本书对此进行了详细阐述。
- 使用对象附注:
- 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考
全部MARC细节信息>>