MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：29
- 题名/责任者:
- 半导体器件原理/黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜编著
- 出版发行项:
- 上海:复旦大学出版社,2011
- ISBN及定价:
- 978-7-309-08144-2/CNY48.00
- 载体形态项:
- 375页:图;26cm
- 丛编项:
- 复旦博学.微电子学系列
- 个人责任者:
- 黄均鼐 编著
- 个人责任者:
- 汤庭鳌 编著
- 个人责任者:
- 胡光喜 编著
- 学科主题:
- 半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 提要文摘附注:
- 本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。
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