MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：20
- 题名/责任者:
- 功率晶体管原理/万积庆, 唐元洪编著
- 出版发行项:
- 长沙:湖南大学出版社,2009
- ISBN及定价:
- 978-7-81113-491-9/CNY43.00
- 载体形态项:
- 273页:图;26cm
- 个人责任者:
- 万积庆 编著
- 个人责任者:
- 唐元洪 编著
- 学科主题:
- 功率晶体管-高等学校-教材
- 中图法分类号:
- TN323
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二级管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。
全部MARC细节信息>>