MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：9
- 题名/责任者:
- 电可改写非挥发存储器/于宗光，郝跃著
- 出版发行项:
- 北京:国防工业出版社,2002
- ISBN及定价:
- 7-118-02767-7 精装/CNY19.00
- 载体形态项:
- 20,227页;20cm
- 个人责任者:
- 于宗光 著
- 个人责任者:
- 郝跃 著
- 学科主题:
- 半导体存储器
- 中图法分类号:
- TP333.5
- 责任者附注:
- 于宗光(1964～)，山东潍坊人，信息产业部电子第58所副总工程师兼设计开发部总工程师。著作有：《电可改写非挥发存储器》等。
- 责任者附注:
- 郝跃(1958～)，重庆人，西安电子科技大学副校长、教授。著作有：《电可改写非挥发存储器》等。
- 提要文摘附注:
- 本书介绍了EEPROM单元结构的变革及发展方向，EEPROM的电路设计技术，EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究，电可改写集成电路的应用等12章内容。
全部MARC细节信息>>